دانلود رایگان سوالات دکتری مهندسی برق - الکترونیک 1399
دانلود دفترچه سوالات کنکور دکتری مهندسی برق ـ الکترونیک سال ۱۳۹۹ به همراه کلید رسمی سازمان سنجش
مقطع دکتری تخصصی مهندسی برق ـ الکترونیک (Electrical Engineering ـ Electronics) یکی از شاخههای اصلی مهندسی برق است که به تحلیل، طراحی و پیادهسازی مدارها، افزارهها و سامانههای الکترونیکی در مقیاسهای مختلف میپردازد. مباحث این گرایش از مدارهای الکتریکی، الکترونیک آنالوگ و دیجیتال تا طراحی مدارهای مجتمع، افزارههای نیمهرسانا، سیستمهای فرکانس بالا و مدارهای مجتمع با مقیاس بزرگ را دربرمیگیرد.
دفترچه سوالات آزمون دکتری مهندسی برق ـ الکترونیک سال ۱۳۹۹، مجموعهای از پرسشهای مفهومی، تحلیلی و محاسباتی در زمینه مدارهای الکتریکی، الکترونیک، سیستمهای دیجیتال، سیگنالها و سیستمها، الکترومغناطیس و مبانی ریاضی مهندسی را شامل میشود. داوطلبان میتوانند دفترچه سوالات و کلید رسمی پاسخنامه سازمان سنجش را از طریق جدول زیر دریافت کنند.
مشاهده نمونه دفترچه
سال : 1399
گروه : ---
مشخصات فایل : 1.51MB / PDF
قیمت : 50,000 ريال
آزمون های برگزار شده
تحلیل ساختاری مباحث آزمون دکتری مهندسی برق ـ الکترونیک
آزمون دکتری مهندسی برق ـ الکترونیک، علاوه بر سنجش توانایی محاسباتی داوطلب، بر درک فیزیکی عملکرد مدارها، توانایی تحلیل سامانههای خطی و غیرخطی، شناخت رفتار افزارههای نیمهرسانا و مهارت طراحی سیستمهای الکترونیکی تمرکز دارد. مهمترین محورهای مطالعاتی این آزمون عبارتاند از:
- مدارهای الکتریکی و تحلیل شبکه: قوانین کیرشهف، تحلیل گره و مش، قضایایشهف، تحلیل گره و مش، قضایای تونن و ن پاسخ گذرا و ماندگار، مدارهای سینوسی حالت ماندگار، فازورها، توان مختلط، مدارهای سهفاز، کوپل مغناطیسی، ترانسفورماتورها و تحلیل مدارهای دوپورتی.
- الکترونیک ۱ و ۲: مدلسازی دیود، ترانزیستورهای BJT و MOSFET، ناحیههای عملکرد افزارهها، تقویتکنندههای تکطبقه و چندطبقه،یدبکنال کوچک و بزرگ، فیدبک، نوسانسازها، منابع جریان، تقویتکنندههای عملیاتی، مدارهای دیفرانسیلی، آینههای جریان و تقویتکنندههای توان.
- الکترونیک دیجیتال و طراحی منطقی: جبر بول، گیتهای منطقی، سادهسازی توابع، مدارهای ترکیبی و ترتیبی، فلیپفلاپها، ثباتها، شمارندهها، ماشینهای حالت متناهی، حافظهها، منطق CMOS، تأخیر انتشار، توان مصرفی و مبانی طراحی مدارهای دیجیتال.
- مدارهای مجتمع و VLSI: فناوری CMOS، طراحی ترانزیستوری، اینورتر CMOS، گیتهای منطقی، تحلیل تأخیر و توان، نویزپذیری، طراحی layout، تطبیق افزارهها، اثرات کانال کوتاه، جریان نشتی و اصول طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ و دیجیتال.
- افزارههای نیمهرسانا: فیزیک نیمهرساناها، پیوند PN، دیودهای خاص، ترانزیستورهای پیوندی و اثر میدان، خازن MOS، ناحیه تهی، پدیدههای شکست، اثر دما، تحرک حاملها، بازترکیب، تولید حامل و مدلهای ایستا و دینامیکی افزارهها.
- سیگنالها و سیستمها: سیگنالهای پیوسته و گسسته، کانولوشن، سری و تبدیل فوریه، تبدیل لاپلاس و Z، سیستمهای LTI، پاسخ ضربه و فرکانسی، نمونهبرداری، تبدیل فوریه گسسته و تحلیل سیستمها در حوزه زمان و فرکانس.
- مخابرات و مدارهای فرکانس بالا: شبکههای تطبیق، پارامترهای S، خطوط انتقال، نویز، تقویتکنندههای کمنویز، میکسرها، نوسانسازهای RF، فیلترهای فرکانس بالا، پایداری تقویتکنندهنده و اصول طراحی مدارهای مجتمع RF.
- strong>الکترونیک قدرت و کنترلکنندههای الکترونیکی: یکسوسازها، چاپرها، اینورترها، مبدلهای DC-DC، کلیدزنی توان، تلفات سوئیچینگ، منابع تغذیه سوئیچینگ و اصول کنترل مبدلها.
- ریاضیات مهندسی و روشهای تحلیلی: معادلات دیفرانسیل، سریهای فوریه، تبدیلهای لاپلاس و فوریه، متغیرهای مختلط، جبر خطی، ماتریسها، احتمال و مبانی فرآیندهای تصادفی.
جدول عناوین دروس امتحانی، سرفصلها و ضرایب دکتری مهندسی برق ـ الکترونیک
ساختار عمومی آزمون دکتری شامل مجموعه دروس تخصصی، استعداد تحصیلی و زبان عمومی و تخصصی است. ضرایب نهایی ممکن است بر اساس دفترچه همان سال تغییر کند؛ بنابراین داوطلب است بر اساس دفترچه همان سال تغییر کند؛ بنابراین داوطلب باید آخرین.
| ردیف | عنوان ماده امتحانی | سرفصلهای کلیدی | ضریب | زمان تقریبی |
|---|---|---|---|---|
| ۱ | مجموعه دروس تخصصی | مدارهای الکتریکی، الکترونیک، سیستمهای دیجیتال، سیگنالها و سیستمها، افزارههای نیمهرسانا، مدارهای مجتمع و مباحث مرتبط با گرایش الکترونیک | ۴ | بر اساس دفترچه رسمی |
| ۲ | استعداد تحصیلی | استدلال منطقی، تحلیل کمی، درک مطلب، تجسم فضایی و حل مسائل تحلیلی | ۱ | بر اساس دفترچه رسمی |
| ۳ | زبان عمومی و تخصصی | واژگان تخصصی مهندسی برق، درک متون علمی، گرامر و مهارت خواندن متون الکترونیک | ۱ | بر اساس دفترچه رسمی |
راهکارهای موفقیت در مصاحبه دکتری مهندسی برق ـ الکترونیک
- تسلط مفهومی بر تحلیل مدار: بتوانید رفتار مدار را در حوزه زمان، فرکانس و سیگنال کوچک تحلیل کنید و فرض تحلیل کنید و فرضهای مدلسازی را بهصورت شفاف توض
- آمادگی برای طراحیذ: طراحی یک تقویتکننده، منبع جریان، مدار فیدبک، نوسانساز یا سلول منطقی CMOS از موضوعات محتمل مصاحبههای تخصصی است.
- تسلط بر ابزارهای شبیهسازی: آشنایی عملی با ابزارهایی مانند LTspice، Cadence، ADS، MATLAB و ابزارهای طراحی FPGA یا HDL، متناسب با حوزه پژوهشی، امتیاز مهمی محسوب میشود.
- شناخت فناوری ساخت و محدودیتهای واقعی: در پاسخهای خود به نویز، توان، خطیبودن، بهره، پهنای باند، mismatch، تغییرات فرایندی و اثر دما توجه کنید.
- ارائه پروپوزال پژوهشی دقیق: موضوعاتی مانند مدارهای کمتوان، طراحی آنالوگ و RF، مدارهای مجتمع برای اینترنت اشیا، افزارههای نانومقیاس، الکترونیک انعطافپذیر و مدارهای مقاوم در برابر خطا میتوانند مبنای یک طرح پژوهشی مناسب باشند.
- تقویت سابقه پژوهشی: مقاله، پایاننامه، پروژه طراحی، گزارش شبیهسازی و تجربه کار با تجهیزات آزمایشگاهی را بهصورت منظم و مستند ارائه کنید.
پرسشهای متداول دکتری مهندسی برق ـ الکترونیک (FAQ)
تفاوت مدل سیگنال بزرگ و مدل سیگنال کوچک در ترانزیستور چیست؟
مدل سیگنال بزرگ رفتار کامل غیرخطی ترانزیستور را در محدوده وسیعی از ولتاژ و جریان توصیف میکند و برای تعیین نقطه کار و تحلیل تغییرات بزرگ به کار میرود. در مدل سیگنال کوچک، مدار حول نقطه کار خطیسازی میشود. این مدل برای محاسبه بهره، مقاومت ورودی و خروجی، امپدانسها و پاسخ فرکانسی تغییرات کوچک استفاده میشود.
تفاوت بهره حلقهباز و بهره حلقهبسته در تقویتکننده فیدبکدار چیست؟
بهره حلقهباز، بهره تقویتکننده پیش از اعمال فیدبک است. در مدار فیدبکدار، بهره حلقهبسته به ساختار فیدبک و ضریب آن وابسته میشود. در فیدبک منفی، بهره معمولاً پایدارتر شده، اعوجاج و حساسیت نسبت به تغییرات پارامترها کاهش مییابد، ات پارامترها کاهش مییابد، اما ممکن است پهنای باند گیرد.
تفاوت مدارهای CMOS استاتیک و دینامیک چیست؟
در منطق CMOS استاتیک، خروجی در حالت پایدار از طریق شبکه Pull-Up یا Pull-Down به یکی از منابع تغذیه متصل است و توان دینامیکی عمدتاً هنگام سوئیچینگ مصرف میشود. در منطق دینامیک، اطلاعات برای مدتی در خازن ذخیره میشود و مدار به کلاک و مرحلههای پیششارژ و ارزیابی نیاز دارد. منطق دینامیک میتواند سریعتر یا کممساحتتر باشد، اما به نشتی، نویز و زمانبندی حساستر است.
شرط نایکوئیست در نمونهبرداری سیگنال چیست؟
برای بازسازی کامل یک سیگنال باند محدود با بیشترین فرکانس f_max، فرکانس نمونهبرداری باید دستکم دو برابر بیشترین فرکانس سیگنال باشد: f_s > 2f_max. پیش از نمونهبرداری معمولاً از فیلتر ضدهمپوشانی استفاده میشود تا مؤلفههای فرکانسی بالاتر از نصف نرخ نمونهبرداری حذف شوند.
مهمترین معیارهای ارزیابی یک تقویتکننده عملیاتی چیست؟
بهره حلقهباز، پهنای باند، بهره واحد، نرخ چرخش، محدوده ولتاژ مشترک، نسبت حذف سیگنال مشترک، نسبت رد منبع تغذیه، ولتاژ آفست ورودی، جریان بایاس، نویز، محدوده خروجی و پایداری از مهمترین معیارها هستند. انتخاب تقویتکننده عملیاتی باید بر اساس کاربرد و مصالحه میان سرعت، توان، دقت و پایداری انجام شود.
سوالات و پاسخ سوالات دکتری - بخش پانصد و یکم ( بیشتر ... )


